三菱ケミカル株式会社

【茨城】GaN基板の結晶成長プロセス開発※同意のない転勤無／引越費用負担／土日祝休み

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【業界最大手の総合化学メーカー／高年収帯企業／同意のない転勤無し／引越費用負担／フルフレックス／就業環境◎】

◆採用背景：
GaN基板事業の拡大・次世代製品の開発強化に伴う募集です。

◆業務概要：
次世代パワー半導体である窒化ガリウム（GaN）の気相法による結晶成長技術開発をご担当いただきます。
中長期的な視点に立ち、特に次世代製品（大口径基板・低欠陥密度基板・低抵抗品基板 等）の新製品開発に重きを置いた、挑戦的かつ自由度の高い開発業務をお任せします。

◆業務詳細：
GaNの結晶成長技術の開発業務を中心に、ご経験やご希望などを踏まえて以下に例示する担当業務をご提案いたします。
本ポジションは中長期の技術開発・新製品創出を担う"攻めの研究開発"を行うポジションです。

◇新製品の結晶成長技術開発
　：大口径・低欠陥密度・低抵抗品など、次世代基板の結晶成長技術を創り上げる開発業務を行います。

◇既存製品の歩留り改善や、品質安定化
　：結晶成長起因の歩留り低下や品質不良に関する不良に対し、原因解析からプロセス改善まで一気通貫で歩留まり向上を図ります。

◆ポジション魅力：
脱炭素・省エネ社会の実現に向けて世界的に需要が拡大する次世代パワー半導体「GaN（窒化ガリウム）」。
本ポジションでは、その心臓部となる高品質GaN基板の"結晶成長技術"の開発を、最前線でリードしていただきます。
「より大口径に」「より高品質に」「より低コストに」――まだ世界の誰も到達していない領域に挑み、自らの技術が製品となり社会を動かしていく手応えを味わえる、研究開発職ならではのやりがいに満ちたポジションです。

◆組織構成：
・半導体前工程グループにて、結晶成長・ウエハ加工等の開発メンバーと協働いただきます。30～40代を中心とした比較的若く、風通しの良い活気あるチームです。
・経験者の方は即戦力として、関連分野出身の若手の方も先輩のサポートのもと着実に成長いただける、挑戦を歓迎する風土です。

◆就業環境について：
・出張：頻繁ではないが有（国内外）
・テレワーク：相談可
・残業：30～40時間程度／月（繁忙期で最大45時間程度。近年は改善傾向）


変更の範囲：会社の定める職務

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

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＜応募資格/応募条件＞
◆必須条件：
・化合物半導体の結晶成長技術開発、もしくは結晶成長・薄膜成長に関連する技術開発の経験

◆歓迎要件：
・GaN（窒化ガリウム）の結晶成長技術開発、ウエハ加工等の経験
・英語力をお持ちの方

＜勤務地詳細＞
筑波事業所
住所：茨城県牛久市東猯穴町1000
勤務地最寄駅：JR線／ひたち野うしく駅
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
変更の範囲：会社の定める事業所

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＜転勤＞
当面なし
※将来的に三菱ケミカルグループ（株）のグループ各社への在籍出向の可能性もございます。

＜在宅勤務・リモートワーク＞
相談可

＜オンライン面接＞
可

＜労働時間区分＞
フレックスタイム制（フルフレックス）
休憩時間：60分（12:00～13:00）
時間外労働有無：有

＜標準的な勤務時間帯＞
8:30～17:15

正社員

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＜雇用形態補足＞
期間の定め：無
補足事項なし

＜試用期間＞
6ヶ月
補足事項なし

通勤手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、厚生年金基金、退職金制度

＜各手当・制度補足＞
通勤手当：通勤費補助制度（会社規定による）
寮社宅：独身寮、単身赴任寮あり
社会保険：社会保険完備
厚生年金基金：会社規定による
退職金制度：会社規定による

＜定年＞
65歳

＜教育制度・資格補助補足＞
■教育制度：
OJTによる指導により実際の業務の流れに沿って行います。その他専門教育もあります。

＜その他補足＞
■カフェテリアプラン
■介護支援金
■弔慰金
■団体保険
■社内公募制度
■キャリアチャレンジ制度
■勤務地希望制度
■勤務地継続制度※勤務地継続制度は管理職のみ

完全週休2日制（休日は土日祝日）
年間有給休暇3日～21日（下限日数は、入社直後の付与日数となります）
年間休日日数121日

■公休日：土曜日、日曜日、国民の祝日、年末年始、その他
■休暇：年次有給休暇、特別休暇（忌引、結婚等）、積立年次有給休暇　等