株式会社　東芝 【川崎】先端パワー半導体デバイスの研究開発 ※年休124日／土日祝休

【川崎】先端パワー半導体デバイスの研究開発 ※年休124日／土日祝休

■業務内容：研究開発センターにおいて、化合物半導体や次世代シリコンの先端パワー半導体デバイスの設計、プロセス開発、評価・解析等の業務を遂行します。

■やりがい・魅力：先端パワー半導体デバイス(化合物半導体(GaN)または次世代Siデバイス)の研究開発業務において、自らのアイディアをベースに最先端技術を創出していくことができ、技術者として非常にやりがいのある業務です。本業務を遂行するための最先端の半導体プロセス開発、デバイス試作が行えるクリーンルームや実験設備、各種評価、計算解析等の実験環境が整備されています。

※研究開発センターとソフトウェア技術センターが所在する小向事業所内に研究開発新棟（仮称）を新しく建設し、2024年度目途に両センターは新棟で執務する予定です。

■研究開発新棟での業務開始に際して：アクティビティ・ベースド・ワーキング（ABW）を導入し、専門分野の異なる研究者・技術者同士が偶然に隣り合わせたり、すれ違ったりすることで会話が生まれ、未来を語り合ったり、お客様の課題の解決方法を一緒に見つけたりなど、21世紀の研究所にふさわしいオープンな環境を実現します。

学歴不問

＜応募資格/応募条件＞
【必須】
・半導体デバイスに関する研究開発業務の経験（デバイス設計(TCAD解析)
・半導体プロセス、デバイス評価・解析のいずれか）を有する方。
【尚可】
・学術論文、特許などの技術専門文書を読み書きできる英語力をお持ちの方。（TOEIC(R)テスト 600点以上が望ましい）

＜語学補足＞
業務上は英会話は必要としません。

＜勤務地詳細＞
研究開発センター
住所：神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社　東芝　研究開発センター
勤務地最寄駅：JR線／川崎駅
受動喫煙対策：屋内全面禁煙

＜勤務地補足＞
※将来的に弊社グループの半導体工場での勤務の可能性もあります。

＜転勤＞
当面なし
当面なし

＜在宅勤務・リモートワーク＞
相談可（在宅）

＜オンライン面接＞
可

＜勤務時間＞
8:15～17:00 （所定労働時間：7時間45分）
休憩時間：60分
時間外労働有無：有
＜その他就業時間補足＞
※フレックスタイム制度あり※在宅勤務制度あり

正社員

＜雇用形態補足＞
期間の定め：無

＜試用期間＞
3ヶ月

＜予定年収＞
600万円～1,000万円

＜賃金形態＞
月給制

＜賃金内訳＞
月額（基本給）：280,000円～

＜月給＞
280,000円～

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
有

＜給与補足＞
■前給・キャリアを考慮の上、面談時に決定いたします。
昇給：年1回
賞与：年2回（7月・12月）

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

通勤手当、家族手当、住宅手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、退職金制度

＜各手当・制度補足＞
通勤手当：全額支給
家族手当：支給条件該当者は「次世代育成手当て」が支給されます
住宅手当：別途「福利厚生その他」欄に記載
寮社宅：寮・社宅あり。入居条件該当者は入居可能
社会保険：社会保険完備
退職金制度：補足事項なし

＜定年＞
60歳

＜教育制度・資格補助補足＞
■各種研修制度は整っています。（新人研修、管理職研修、技術研修、語学研修、他）

＜その他補足＞
住宅手当、次世代育成手当、通勤手当、時間外勤務手当、深夜手当など（当社規定による）
※エキスパート級での採用（年収1,000万円）については管理監督者にあたるため、住宅手当、次世代育成手当、時間外勤務手当等は不支給となります。

週休2日制（休日は土日祝日）
年間有給休暇18日～24日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）
年間休日日数124日

完全週休2日制（土・日曜）、祝日、年末年始休暇、有給休暇（初年度18日、2年目以降24日）、赴任休暇、結婚休暇、慶弔休暇、ステップアップ休暇など